半导体制造过程中，含氟废水主要来源于芯片加工的刻蚀与清洗环节。在晶圆制造阶段，需使用氢氟酸（HF）、氟化铵（NH₄F）等氟基化学品进行精细刻蚀和表面清洗，从而产生大量含氟废水。同时，生产过程中广泛使用的酸碱调节剂、显影液及CMP（化学机械抛光） slurry残留物，共同构成了高盐基质。
这类废水的特殊性在于氟化物与高盐分的共存：
1️⃣ 氟浓度通常达200-2000mg/L，且常含多种氟络合物（如SiF₆²⁻、BF₄⁻）；
2️⃣ 盐分浓度极高（电导率常＞10mS/cm），富含氯离子、硫酸根及铵盐；
3️⃣ 水质波动大，可能掺杂有机溶剂及微量重金属。
此类废水处理难度极高——
高氯离子/硫酸根会竞争反应位点，干扰氟的去除；
氟络合物稳定性强，传统钙盐沉淀难以彻底破解；
盐分升高还会抑制絮凝剂效果，增加污泥处理难度。
半导体含氟高盐废水的有效处理，需结合预处理络、选择性除氟及深度脱盐工艺，或使用除氟剂进行处理，方能实现达标回用或排放。
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